內(nèi)置MOS管TP8350、TP8356升壓芯片驅(qū)動(dòng)大電流方案

典型應(yīng)用電路：

輸入電源為鋰電池（3.2v≤Vin≤4.2v）

1．驅(qū)動(dòng)負(fù)載150mA≤Io≤500mA

（1）TP8350典型應(yīng)用電路

   

鋰電池輸入條件下TP8350驅(qū)動(dòng)大負(fù)載電路

 

建議各器件參數(shù)L=47uH（內(nèi)阻<0.1ohm），Cin=47uF（實(shí)際應(yīng)用中可不接該電容），

Diode=1N58171N58181N5819，

Cout為20uF電解電容（或20uF膽電容串聯(lián)0.5歐姆電阻）和0.1uF陶瓷電容并聯(lián)。

驅(qū)動(dòng)400mA負(fù)載下，效率高于80%

（2）TP8356典型應(yīng)用電路

鋰電池輸入條件下TP8350驅(qū)動(dòng)大負(fù)載電路

建議各器件參數(shù)L=100uH（內(nèi)阻<0.1ohm），Cin=47uF（實(shí)際應(yīng)用中可不接該電容），

Diode=1N58171N58181N5819，

Cout為20uF電容（不分電解電容、膽電容）串聯(lián)0.5歐姆電阻和0.1uF陶瓷電容并聯(lián)。

驅(qū)動(dòng)400mA負(fù)載下，效率高于80%

 

2．  驅(qū)動(dòng)負(fù)載Io<150mA時(shí)

       TP8350、TP8356外圍器件參數(shù)參照TP83規(guī)格書(shū)中典型應(yīng)用電路的參數(shù)。

 

注意：TP8350、TP8356應(yīng)用中陶瓷電容0.1uF~1uF必須接上，并且靠近芯片輸出端。