MOS管的基本參數(shù)

MOS管的基本參數(shù)，大家熟悉的必然是Ids電流，Ron導(dǎo)通電阻，Vgs的閾值電壓，Cgs、Cgd、Cds這幾項(xiàng)，然而在高速應(yīng)用中，開(kāi)關(guān)速度這個(gè)指標(biāo)比較重要。

　　上圖四項(xiàng)指標(biāo)，第一項(xiàng)是導(dǎo)通延時(shí)時(shí)間，第二項(xiàng)是上升時(shí)間，第三項(xiàng)是關(guān)閉延時(shí)時(shí)間，第四項(xiàng)是下降時(shí)間。定義如下圖：

　　在高速H橋應(yīng)用中，MOS管內(nèi)部的反向并聯(lián)寄生二極管的響應(yīng)速度指標(biāo)Trr，也就是二極管的反向恢復(fù)時(shí)間這個(gè)指標(biāo)很重要，否則容易炸機(jī)，下圖為高速二極管。

　　高速下，二極管也不是理想的，二極管導(dǎo)通后，PN節(jié)中充滿(mǎn)了電子和空穴，當(dāng)瞬間反向加電的時(shí)候，需要時(shí)間恢復(fù)截止，這個(gè)類(lèi)似一扇門(mén)打開(kāi)了，需要時(shí)間關(guān)上，但在高速下，這個(gè)關(guān)上的時(shí)間太長(zhǎng)，就會(huì)導(dǎo)致H橋上下管子導(dǎo)通而燒壞。所以在高速應(yīng)用中，直接因?yàn)镸OS管工藝寄生的二極管的反向恢復(fù)時(shí)間太長(zhǎng)，所以需要用特殊的工藝制作實(shí)現(xiàn)高速的內(nèi)置二極管，但哪怕特殊工藝制作的，其性能也達(dá)不到獨(dú)立的高速二極管性能，只是比原MOS管寄生的指標(biāo)強(qiáng)一些而已，但已經(jīng)滿(mǎn)足大部分軟開(kāi)關(guān)的需求了，500KHz下沒(méi)問(wèn)題。比如Infineon的C6系列，后綴帶CFD的管子，內(nèi)部的二極管就是高速的。

　　若有些場(chǎng)合需要更高速的二極管，而內(nèi)置的二極管性能達(dá)不到，則需要特殊的處理方式，MOS管先串聯(lián)二極管，再外部并二極管，這樣子實(shí)現(xiàn)，可以應(yīng)用于頻率超過(guò)500KHz的場(chǎng)合。