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過壓保護芯片OVP基本原理與應用

來 源:  時 間:2023-12-08

一、基本原理
    1. OVP芯片基本原理
        如下圖是一款OVP芯片的內部框圖,基本邏輯是當輸入電壓過大時,內部邏輯及驅動電路將關斷MOS管,此時輸入與輸出將斷開,起到保護作用。
      UVLO(Under Voltage Lock Out),指低電壓保護;OVLO(Over Voltage Lock Out),指過壓保護OVP,此芯片同時支持低壓與過壓保護。OTP(Over Temperature Protection),指過溫保護;
 
二、OVP芯片關鍵參數(shù)
 
    1. 輸入電壓VIN
        供電電壓不能超過輸入電壓VIN。
    2. 過壓保護電壓VOVLO
        VOVLO需要大于后級被保護的電壓范圍并且留有一定裕度。有的OVP是固定電壓,而有些是可調的VOVLO。
    3. 導通電阻Ron
        導通電阻Ron是非常關鍵的參數(shù),因為電流會通過MOS,所以導通電阻就決定了經(jīng)過MOS后的壓降,并且由于有功率損耗,導通電阻也會決定芯片發(fā)熱量大小。假設導通電阻200mΩ,那么在1A電流下就會有0.2V的壓降,在一些設計中這個是很大的壓降,因此這個參數(shù)一定要注意。
    4.關斷時間Toff
        當IC發(fā)現(xiàn)過壓到關斷輸出存在一定的時間差,這個時間關斷時間,這個時間在幾十納秒級別,時間越短越不容易損壞后級設備。
  
三、OVP芯片應用
 
    1. 基本參數(shù)
        基本參數(shù)自不必說,輸入電壓不能超過額定最高輸入電壓,同時VOVLO應低于后級電路最高輸入電壓。
    2. 熱設計
        由于有內阻存在,因此需要考慮到熱設計因素,需要參數(shù):熱阻、導通內阻Ron等,
 
    3. TVS
        由于OVP芯片輸入電壓也有限,為了防止靜電等因素導致OVP芯片燒毀,可以在輸入端加入一個TVS,此TVS的額定電壓(反向截止電壓VRWM)應該高于此電路輸入電源電壓,鉗位電壓Vclamp應該低于OVP芯片的最高輸入電壓。
    4. 輸入輸出電容等
        輸入輸出電容按照規(guī)格書參考設計即可,但要注意的是MLCC電容的特性。

四、擴展

        另外還有內置TVS的OVP芯片,自帶ESD功能,同時還有的OVP芯片帶EN使能的芯片,可以當作電源開關使用等。

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